深圳市福田区都会电子市场凯捷电子经营部

价批发旧件MOS管2SK1823

品牌/商标:FUJI/富士通 型号/规格:2SK1823 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:V-FET/V型槽MOS 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:60V（V） 夹断电压:50A（V） 低频跨导:80W（μS） 极间电容:19毫欧（pF） 低频噪声系数:TO-3PF（dB）

最地价供应旧件场效应管2SK1424

品牌/商标:SANYO/三洋 型号/规格:2SK1424 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:V-FET/V型槽MOS 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:60V（V） 夹断电压:40A（V） 低频跨导:60W（μS） 极间电容:0.020O欧（pF） 低频噪声系数:TO-3PF（dB）

价供应拆机件MOS管2SK1943

品牌/商标:FUJI/富士通 型号/规格:2SK1943 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:V-FET/V型槽MOS 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:900伏（V） 夹断电压:900伏（V） 低频跨导:5安（μS） 极间电容:内阻2.8欧（pF）

价供应拆机件MOS管2SK2044

品牌/商标:SANYO/三洋 型号/规格:2SK2044 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:V-FET/V型槽MOS 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:600伏（V） 夹断电压:600伏（V） 低频跨导:4安（μS） 极间电容:安（pF）

价供应拆机件MOS管2SK1637

品牌/商标:Hitachi/日立 型号/规格:2SK1637 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:V-FET/V型槽MOS 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:600伏（V） 夹断电压:600伏（V） 低频跨导:4安（μS） 极间电容:安（pF）

价供应拆机件MOS管2SK2097

品牌/商标:Hitachi/日立 型号/规格:2SK2097 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:V-FET/V型槽MOS 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:600伏（V） 夹断电压:600伏（V） 低频跨导:4安（μS） 极间电容:安（pF）

价批发拆机件MOS管2SK1459

品牌/商标:SANYO/三洋 型号/规格:2SK1459 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:V-FET/V型槽MOS 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:900伏（V） 夹断电压:900伏（V） 低频跨导:2.5安（μS） 极间电容:安（pF）

价供应旧件MOS管2SK2476

品牌/商标:NEC/日本电气 型号/规格:2SK2476 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:V-FET/V型槽MOS 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:800伏（V） 夹断电压:800伏（V） 低频跨导:3安（μS） 极间电容:3安（pF）

价批发拆机件MOS管2SK2605

品牌/商标:TOSHIBA/东芝 型号/规格:2SK2605 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:V-FET/V型槽MOS 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:800伏（V） 夹断电压:800伏（V） 低频跨导:5安（μS） 极间电容:安（pF）

价批发拆机件MOS管2SK2480

品牌/商标:NEC/日本电气 型号/规格:2SK2480 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:V-FET/V型槽MOS 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:900伏（V） 夹断电压:900伏（V） 低频跨导:3安（μS） 极间电容:安（pF）

价批发拆机件MOS管2SK1460

品牌/商标:SANYO/三洋 型号/规格:2SK1460 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:V-FET/V型槽MOS 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:900伏（V） 夹断电压:900伏（V） 低频跨导:3.5安（μS） 极间电容:安（pF）

价供应拆机MOS管2SK2671

品牌/商标:SHINDENGEN/新电元 型号/规格:2SK2671 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:V-FET/V型槽MOS 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:900伏（V） 夹断电压:900伏（V） 低频跨导:5安（μS） 极间电容:5安（pF）

价批发拆机件MOS管2SK1404

品牌/商标:Hitachi/日立 型号/规格:2SK1404 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:V-FET/V型槽MOS 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:600伏（V） 夹断电压:600伏（V） 低频跨导:5安（μS） 极间电容:安（pF）

供应拆机件MOS管2SK2761

品牌/商标:FUJI/富士通 型号/规格:2SK2761 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:V-FET/V型槽MOS 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:600伏（V） 夹断电压:600伏（V） 低频跨导:10安（μS） 极间电容:内阻1欧（pF）

供应场效应管2SK2412

品牌/商标:NEC/日本电气 型号/规格:2SK2412 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:V-FET/V型槽MOS 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:60伏（V） 夹断电压:20安（V） 低频跨导:内阻70毫欧（μS） 极间电容:TO-220F（pF）

供应场效应管2SK1295

品牌/商标:NEC/日本电气 型号/规格:2SK1295 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:V-FET/V型槽MOS 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:100伏（V） 夹断电压:30安（V） 低频跨导:内阻50毫欧（μS） 极间电容:TO-220F（pF）

供应场效应管2SK1190

品牌/商标:SAK日本三肯 型号/规格:2SK1190 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:V-FET/V型槽MOS 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:60伏（V） 夹断电压:22安（V） 低频跨导:内阻0.04欧（μS） 极间电容:TO-220F（pF）

供应场效应管2SK1505

品牌/商标:FUJI/富士通 型号/规格:2SK1505 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:V-FET/V型槽MOS 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:30伏（V） 夹断电压:35安（V） 低频跨导:内阻0.025欧（μS） 极间电容:TO-220F（pF）

供应场效应管2SK1094

品牌/商标:Hitachi/日立 型号/规格:2SK1094 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:V-FET/V型槽MOS 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:60伏（V） 夹断电压:15安（V） 低频跨导:内阻0.055欧（μS） 极间电容:TO-220F（pF）

供应场效应管2SK1917

品牌/商标:FUJI/富士通 型号/规格:2SK1917 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:V-FET/V型槽MOS 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:250伏（V） 夹断电压:10安（V） 低频跨导:内阻0.3欧（μS） 极间电容:TO-220F（pF）