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价批发旧件MOS管2SK1823

品牌/商标:FUJI/富士通 型号/规格:2SK1823 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:V-FET/V型槽MOS 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:60V(V) 夹断电压:50A(V) 低频跨导:80W(μS) 极间电容:19毫欧(pF) 低频噪声系数:TO-3PF(dB)

最地价供应旧件场效应管2SK1424

品牌/商标:SANYO/三洋 型号/规格:2SK1424 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:V-FET/V型槽MOS 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:60V(V) 夹断电压:40A(V) 低频跨导:60W(μS) 极间电容:0.020O欧(pF) 低频噪声系数:TO-3PF(dB)

价供应拆机件MOS管2SK1943

品牌/商标:FUJI/富士通 型号/规格:2SK1943 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:V-FET/V型槽MOS 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:900伏(V) 夹断电压:900伏(V) 低频跨导:5安(μS) 极间电容:内阻2.8欧(pF)

价供应拆机件MOS管2SK2044

品牌/商标:SANYO/三洋 型号/规格:2SK2044 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:V-FET/V型槽MOS 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:600伏(V) 夹断电压:600伏(V) 低频跨导:4安(μS) 极间电容:安(pF)

价供应拆机件MOS管2SK1637

品牌/商标:Hitachi/日立 型号/规格:2SK1637 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:V-FET/V型槽MOS 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:600伏(V) 夹断电压:600伏(V) 低频跨导:4安(μS) 极间电容:安(pF)

价供应拆机件MOS管2SK2097

品牌/商标:Hitachi/日立 型号/规格:2SK2097 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:V-FET/V型槽MOS 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:600伏(V) 夹断电压:600伏(V) 低频跨导:4安(μS) 极间电容:安(pF)

价批发拆机件MOS管2SK1459

品牌/商标:SANYO/三洋 型号/规格:2SK1459 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:V-FET/V型槽MOS 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:900伏(V) 夹断电压:900伏(V) 低频跨导:2.5安(μS) 极间电容:安(pF)

价供应旧件MOS管2SK2476

品牌/商标:NEC/日本电气 型号/规格:2SK2476 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:V-FET/V型槽MOS 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:800伏(V) 夹断电压:800伏(V) 低频跨导:3安(μS) 极间电容:3安(pF)

价批发拆机件MOS管2SK2605

品牌/商标:TOSHIBA/东芝 型号/规格:2SK2605 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:V-FET/V型槽MOS 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:800伏(V) 夹断电压:800伏(V) 低频跨导:5安(μS) 极间电容:安(pF)

价批发拆机件MOS管2SK2480

品牌/商标:NEC/日本电气 型号/规格:2SK2480 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:V-FET/V型槽MOS 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:900伏(V) 夹断电压:900伏(V) 低频跨导:3安(μS) 极间电容:安(pF)

价批发拆机件MOS管2SK1460

品牌/商标:SANYO/三洋 型号/规格:2SK1460 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:V-FET/V型槽MOS 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:900伏(V) 夹断电压:900伏(V) 低频跨导:3.5安(μS) 极间电容:安(pF)

价供应拆机MOS管2SK2671

品牌/商标:SHINDENGEN/新电元 型号/规格:2SK2671 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:V-FET/V型槽MOS 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:900伏(V) 夹断电压:900伏(V) 低频跨导:5安(μS) 极间电容:5安(pF)

价批发拆机件MOS管2SK1404

品牌/商标:Hitachi/日立 型号/规格:2SK1404 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:V-FET/V型槽MOS 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:600伏(V) 夹断电压:600伏(V) 低频跨导:5安(μS) 极间电容:安(pF)

供应拆机件MOS管2SK2761

品牌/商标:FUJI/富士通 型号/规格:2SK2761 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:V-FET/V型槽MOS 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:600伏(V) 夹断电压:600伏(V) 低频跨导:10安(μS) 极间电容:内阻1欧(pF)

供应场效应管2SK2412

品牌/商标:NEC/日本电气 型号/规格:2SK2412 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:V-FET/V型槽MOS 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:60伏(V) 夹断电压:20安(V) 低频跨导:内阻70毫欧(μS) 极间电容:TO-220F(pF)

供应场效应管2SK1295

品牌/商标:NEC/日本电气 型号/规格:2SK1295 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:V-FET/V型槽MOS 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:100伏(V) 夹断电压:30安(V) 低频跨导:内阻50毫欧(μS) 极间电容:TO-220F(pF)

供应场效应管2SK1190

品牌/商标:SAK日本三肯 型号/规格:2SK1190 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:V-FET/V型槽MOS 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:60伏(V) 夹断电压:22安(V) 低频跨导:内阻0.04欧(μS) 极间电容:TO-220F(pF)

供应场效应管2SK1505

品牌/商标:FUJI/富士通 型号/规格:2SK1505 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:V-FET/V型槽MOS 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:30伏(V) 夹断电压:35安(V) 低频跨导:内阻0.025欧(μS) 极间电容:TO-220F(pF)

供应场效应管2SK1094

品牌/商标:Hitachi/日立 型号/规格:2SK1094 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:V-FET/V型槽MOS 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:60伏(V) 夹断电压:15安(V) 低频跨导:内阻0.055欧(μS) 极间电容:TO-220F(pF)

供应场效应管2SK1917

品牌/商标:FUJI/富士通 型号/规格:2SK1917 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:V-FET/V型槽MOS 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:250伏(V) 夹断电压:10安(V) 低频跨导:内阻0.3欧(μS) 极间电容:TO-220F(pF)